CMP技術(shù)：CMP即Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械拋光。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法，CMP技術(shù)通過(guò)化學(xué)和機(jī)械綜合作用，從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。借助于納米粒子的研磨作用與氧化劑的腐蝕作用之間的有機(jī)結(jié)合，在被研磨的工件表面形成光潔表面。
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